鋰離子電池具有快速可逆充放電、無記憶效應、自放電率低、儲能密度大、開路電壓高等優點，廣泛應用于小功率電子產品。但是，隨著光伏發電領域和電動汽車行業等規模化儲電的快速發展，人們關于電池的容量和穩定性提出了越來越高的要求。近年來，在鋰離子電池中，硅材料因具有比現有商用石墨負極材料（372mAh/g）高10倍以上的理論比容量（4200mAh/g），以及來源豐富、成本低廉等諸多優點，在全球范圍內引起眾多學者的廣泛關注。但是，硅材料本身的電阻率較高，使得電池可逆容量迅速衰減，這種現象在高倍率下尤為嚴重，從而限制了硅負極材料的產業化應用。在現有的相關報道中，大多利用金屬修飾和碳包覆技術來解決硅負極材料的高電阻率問題，并取得了一定的成效。但是，這僅僅降低了硅顆粒之間的接觸電阻，其體電阻并沒有降低，電子在硅材料體內的遷移率依然較低，并沒有從根本上解決硅負極材料的高電阻率問題。另外，在現存的硅材料中，絕大部分為n型或p型摻雜，極少有本征硅存在。Long等通過模擬計算，發現n型硅相比于p型硅具有更低的儲鋰電位，從而使其儲鋰容量更高。但是，當p型硅的電阻率比n型硅更低時，該結論是否仍能成立還不得而知。

1實驗

1.1原料制備

將電阻率為1cm、0.1cm、0.01cm和0.001cm的n型硅片(杭州晶博科技有限公司)置于瑪瑙研缽中進行初步研磨后，放入球磨罐，并加入瑪瑙球磨子，按照球料比為5：1進行干磨。球磨機（SFM-1型，合肥科晶材料技術有限公司）轉速設置為500r/min，每30min暫停5min（防止球磨過程中過熱造成硅粉過度氧化），球磨時間設置為10h。將硅粉從球磨罐中取出，置于100目的塑料篩子中過篩，得到顆粒尺寸為2μｍ左右的硅粉，用以研究硅材料體電用以研究硅材料體電阻率對其充放電性能的影響。

將電阻率為1cm、0.001cm的n型硅片以及電阻率為1cm、0.001cm的p型硅片（杭州晶博科技有限公司）按照上述同樣的制備工藝進行原料的制備，同樣得到顆粒尺寸為２μｍ左右的硅粉，用以研究硅材料摻雜類型和電阻率對其充放電性能的綜合影響。

1.2負極與電池制備

由于硅材料在充放電過程中存在巨大的體積變化，因此本實驗采用硅-碳混合負極材料代替純硅負極材料，這種方式更加接近實際應用，實驗結果將對鋰離子電池行業起到更好的參考價值。將活性物質、super-p、CMC、SBR按量比90：2：4：4充分混合，其中活性物質為m（Si）：m（C）＝5：95。配制好漿料后，滴入超純水，并加入球磨子，球料比為5：1，在球磨機轉速為400r/min下球磨混料5h，制作成均勻漿料，涂布于銅箔上，在鼓風烘箱內初步去除水分后，轉移至120℃真空烘箱內再次干燥12h。在手動切片機下對烘干后的負極片進行切片處理并壓實，得到直徑為14mm的負極片。最后以LiPF６/EC:DMC(體積比為1:1)為電解液,金屬鋰為對電極，多孔聚丙烯膜為隔膜，在氬氣保護的手套箱（Labstar-ECO1250/780型）內組裝C2025型紐扣半電池。

1.3電化學性能測試及物相結構形貌表征

將制備的扣式電池在0.01~1.5V的電壓范圍內以36mA/g的電流密度進行充放電測試（LANDBT1-10型）。采用電化學工作站（Parstat4000型）對硅負極材料的電化學阻抗進行測試；采用帶能譜儀的場發射掃描電鏡(JSM-6701F型)觀察硅粉的表面形貌；采用激光粒度分析儀(BT-9300H型)對硅粉的粒度分布進行測試；采用半導體粉末電阻率測試儀（ST2722型，蘇州晶格電子）對硅粉電阻率進行測試；采用全自動X射線衍射儀（BrukerD8型）對硅粉的結構進行測試，其中采用ＣｕＫα輻射，步進速率取0.04()/ｓ。

2結果與討論

2.1硅材料體電阻率的影響

將電阻率為1cm、0.1cm、0.01cm和0.001cm的n型硅片在相同的工藝下分別進行球磨，制得4種硅粉，其形貌結構和粒徑分布分別如圖1（a）、（b）所示。由圖1可見，4種硅粉的中位徑均為2.6μｍ左右。

4種硅粉和硅片的XRD譜均如圖2（a）、（b）所示。由圖2可見，硅粉的XRD譜呈現了硅材料所有的晶面衍射峰，包括（110）、（220）、（311）、（400）、（331）和（422），為典型的多晶結構，且其峰強明顯弱于硅片的（400）單晶衍射峰，這是由于球磨后硅材料晶粒尺寸減小和晶格應變新增造成的。

4種硅粉的電阻率測試結果如圖3所示，其中對硅粉施加壓強20MPa。由圖3可知，所制得的硅粉電阻率隨著硅片電阻率的降低而降低。由于硅顆粒之間接觸電阻的存在，硅粉的電阻率比相應硅片高約10^6倍，但是在電阻率數量級差別方面，4種硅粉與4種硅片幾乎保持一致。

為了進一步研究4種硅粉的電化學性能，本實驗將其分別制備成負極并組裝成扣式電池。4種扣式電池的電化學阻抗譜（EIS）如圖4所示，由圖4可見，0.001cm的樣品的EIS曲線在X軸上的截距最小，說明其阻抗最小。此外，電池的阻抗隨著硅粉電阻率的降低而降低，這與預期結果一致。

4種電池的首次電壓比容量曲線如圖5所示。顯然，0.001cm樣品具有最高的首次放電比容量和充電比容量，分別是543.4mAh/g和457.7mAh/g。其中，不可逆容量重要是由于在電極表面形成了固態電解質界面。此外，電池的首次容量隨著硅材料電阻率的降低而增大，這是因為鋰離子和電子在電阻率較低的硅顆粒體內遷移速率較高，從而在充放電過程中使得較多的鋰離子可以從硅材料中嵌入和脫出。另外，0.001cm樣品的充電比容量比1cm樣品的充電比容量高65.5mAh/g。在約0.2V和0.4V處的電壓平臺是典型的硅碳復合負極的兩個電壓平臺。0.2V代表石墨粉脫鋰的電壓平臺，而0.4V代表硅粉脫鋰的電壓平臺。在0.2V的電壓平臺上，電阻率為1cm的樣品效果均比其他三者差，這說明高電阻率的硅粉與石墨粉混合后，可能會降低石墨顆粒之間的接觸性能，從而對石墨充放電比容量的發揮出現一定程度的影響。硅粉的電阻率關于充電比容量的影響重要出現在0.4V的電壓平臺上，可以明顯看出隨著硅粉電阻率的降低，其鋰離子電池充電比容量越高。因此，硅粉的低電阻率不僅能增強硅粉對充電比容量的影響，也會影響石墨的充放電比容量。

4種電池的倍率性能如圖6所示。由圖6可知，0.001cm的樣品在電流密度為36mA/g、72mA/g、180mA/g、360mA/g和720mA/g下的首次充電比容量分別為457.7mAh/g、392mAh/g、293mAh/g、198.8mAh/g和81.5mAh/g，其在所有倍率下的充電比容量都是最高的。此外，根據圖5可知，這4種電池的倍率性能具有明顯的規律性，即在任何電流密度下，隨著硅材料電阻率的降低，電池的充電比容量逐漸新增。

2.2硅材料摻雜類型的影響

將電阻率為1cm、0.001cm的n型硅片以及電阻率為1cm、0.001cm的p型硅片分別球磨制得4種硅粉，其SEM、粒度分布和XRD測試結果與圖1（a）、（b）及圖2（a）、（b）完全一致，因此不再贅述。

這4種硅粉的電阻率與壓強的關系曲線如圖7（a）所示。由圖7（a）可見，所有硅粉的電阻率都隨著壓強的升高而降低。圖7（b）是圖7（a）的部分區域放大圖，由圖7（b）可見，由具有相同電阻率的n型和p型硅片所制得的硅粉的電阻率幾乎完全一致。

4種扣式電池的電化學阻抗譜如圖8所示，可見當硅粉電阻率相同時，n型硅樣品的阻抗始終比p型硅樣品小。根據Long等的研究成果，原因可能是p型硅具有更高的嵌鋰電位，導致鋰離子的遷移速率減小，從而使其阻抗更高。但是，由圖8還可看出，0.001cm的p型硅樣品的阻抗比1cm的n型硅樣品的阻抗小。其原因是盡管p型硅具有更高的嵌鋰電位，但0.001cm的p型硅樣品的電阻率比1cm的n型硅樣品小很多，在這種情況下，電阻率關于阻抗的貢獻可能大于摻雜類型。

為了進一步研究4種電池的電化學性能，將其在36mA/g、72mA/g、180mA/g、360mA/g和720mA/g電流密度下進行倍率性能測試，結果如圖9所示。由圖9可知，0.001cm的n型硅樣品具有最佳的倍率性能。同時，0.001cm的n型硅樣品、0.001cm的p型硅樣品、1cm的n型硅樣品和1cm的p型硅樣品在36mA/g的電流密度下的首次充電比容量分別為457.7mAh/g、413.1mAh/g、392.2mAh/g和374.0mAh/g。更重要的是，在電阻率相同的情況下，n型硅樣品的倍率性能總是優于p型硅樣品。但是，0.001cm的p型硅樣品的倍率性能比1cm的n型硅樣品更好。其原因是0.001cm的p型硅樣品的阻抗比1cm的n型硅樣品更低（圖8），當其他條件相同時，電極的阻抗越低，電池的充放電比容量越高。

Long等采用第一性原理研究了p型和n型摻雜對硅材料儲鋰性能的影響，結果表明，p型摻雜相比于n型摻雜具有更高的嵌鋰電位，因此嵌鋰量更少，最終導致儲鋰容量更低。但是，此結論并不完全正確，本研究結果表明，當p型硅的電阻率遠低于n型硅時，其儲鋰容量可高于n型硅。針對該矛盾作出如下解釋：首先，根據2.1部分研究工作可以發現，隨著n型硅體電阻率降低，其鋰離子電池各方面性能越好；其次，根據2.2部分研究工作可以發現，電阻率為0.001cm的p型硅樣品比電阻率為1cm的n型硅樣品的電化學性能好，這說明電阻率關于鋰離子電池充放電性能起到了更重要的用途；另外，現在眾多學者利用金屬銀修飾、碳包覆等手段來提高硅負極導電性，進而提高充放電性能。這都說明硅材料導電性對電池的電化學性能確實有很重要的影響。另外，Long等還指出p型摻雜硅的儲鋰容量比未摻雜硅更低。而在本研究中，關于p型硅，高摻雜濃度樣品(0.001cm)比低摻雜濃度樣品（1cm）具有更高的儲鋰比容量，而未摻雜硅可以認為是摻雜濃度無限低的p型硅，據此可推測高摻雜濃度p型硅比未摻雜硅具有更高的儲鋰比容量，而Long等的工作與該結論矛盾。對此，本工作的解釋為：未摻雜硅即本征硅的體電阻率高達2.3*10^5cm，取體電阻率為1cm的p型硅與之相比，其電阻率遠低于本征硅的電阻率，借鑒2.1部分的n型硅負極材料的研究規律，硅粉的體電阻率越小，鋰離子電池的充放電性能越好，據此也可得出p型硅負極材料比未摻雜硅負極材料具有更優的充放電性能的推論。