使用硅光電池時注意以下事項

硅光電池是一種將光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡單,核心部分是一個大面積的pn結(jié),將一個透明的玻璃外殼點接觸型二極管和一個微安計成閉合回路,當管核心(pn結(jié)二極管燈),你會看到他的手轉(zhuǎn)移微安表,顯示在洋流,這種現(xiàn)象稱為光生v的效果。硅光電池的PN結(jié)面積比二極管大得多，因此光出現(xiàn)的電動勢和電流也大得多。使用硅光電池時注意以下事項:

①硅光電池的輸出特性與負載有關(guān)。在一定光照條件下，當負載很小時，硅光電池的輸出電流趨近于短路電流;而在負載很小時，輸出電壓則趨于開路電壓。因此，在使用硅光電池時，只有確定好負載電阻為某一數(shù)值時，才能獲得最大功率輸出。

②硅光電池可以串、并聯(lián)使用，以滿足所要的電壓或電流值。

③硅光電池的表面有一層抗反射膜，使用時應防止損傷其表面，如表面出現(xiàn)污垢，可用酒精棉球輕輕擦拭。

④使用時，應使硅光電池不受外界環(huán)境干擾，以免出現(xiàn)誤信號。

晶體硅

晶體硅光電池有單晶硅和多晶硅兩種，以P型(或n型)硅襯底，通過磷(或硼)擴散形成Pn結(jié)而生產(chǎn)，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場的主導產(chǎn)品。埋藏電極,表面鈍化,加劇了陷阱,密集的網(wǎng)格技術(shù),優(yōu)化電極和電極接觸,等采用提高載體材料的收集效率,優(yōu)化anti-reflection電影,凹凸表面,高反射電極和其他方法,光電轉(zhuǎn)換效率大大提高。單晶硅光電管面積是有限的,更大的晶圓的Φ10到20厘米,年產(chǎn)量46兆瓦/能力。目前的重要任務(wù)是繼續(xù)擴大行業(yè)規(guī)模，發(fā)展彩帶硅光電池技術(shù)，提高材料的利用率。國際公認的AM1.5條件下的最高效率為24%，AM0條件下的高質(zhì)量效率約為13.5?18%，AM1條件下的地面量產(chǎn)11?18%。用定向凝固法制備的多晶硅錠代替單晶硅可以降低成本，但降低了生產(chǎn)效率。對銀漿、鋁漿的前、后電極絲印、切割、研磨、鑄造工藝進行優(yōu)化，進一步降低成本，提高效率。大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率可達18.6%。

非晶硅

非晶硅光電池是通過高頻輝光放電分解和沉積硅烷氣體而形成的。由于分解沉積溫度較低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料板上沉積約1m厚的薄膜，易于大面積轉(zhuǎn)換(0.5m×1.0m)，成本低，結(jié)構(gòu)上多采用p。為了提高效率和穩(wěn)定性，有時將其分為三層，如pIn，或插入一些過渡層。工業(yè)生產(chǎn)持續(xù)上升，年生產(chǎn)量力45MW/a，投產(chǎn)10MW生產(chǎn)線。全球市場月耗電量約為1000萬塊，在薄膜電池領(lǐng)域排名第一。組裝成型a-si光電池組的發(fā)展，激光切割有效面積90%以上，小面積轉(zhuǎn)換效率提高到14.6%，大面積轉(zhuǎn)換效率為8-10%，層合結(jié)構(gòu)最大效率為21%。發(fā)展的趨勢是改善薄膜的特性，精確設(shè)計光伏電池的結(jié)構(gòu)，控制每一層的厚度，改善各層之間的界面，以達到高效率和高穩(wěn)定性。

多晶硅

P-si(多晶硅，包括微晶)光電池沒有光降解用途，當材料質(zhì)量下降時光電池也不會受到影響。采用液相外延法在單晶硅襯底上制備的p-si光電池的轉(zhuǎn)換效率為15.3%，通過細化襯底和增強調(diào)光工藝可將轉(zhuǎn)換效率提高到23.7%。采用CVD法制備的p-si光電池的轉(zhuǎn)換效率約為12.6~17.3%。使用廉價襯底的P-si薄膜生長方法包括PECVD法和熱線法，或a-si:H材料薄膜的后處理以實現(xiàn)低溫固相結(jié)晶，可生產(chǎn)效率分別為9.8%和9.2%的非降解電池。微晶硅薄膜的生長符合a-si工藝，光電性能好，穩(wěn)定性好。大面積的低溫p-si膜和-si構(gòu)成層狀電池結(jié)構(gòu)，是提高A-s光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率，充分利用太陽光譜的重要途徑。理論計算表明，效率可達28%以上，這將導致硅基薄膜光電池性能的突破。銅、銦、硒光電池