因此，多晶大錠在切方成小硅錠后一般都需要通過機械研磨或化學拋光，去除或減少硅錠表面損傷層。

圖2某供應(yīng)商硅錠未經(jīng)機械研磨或化學拋光的硅片在電池線生產(chǎn)的平均碎片率約為1.5%左右，而其硅錠經(jīng)過機械研磨之后的硅片，平均碎片率僅為0.7%，降低了一倍多。

硅片鋸痕、臺階和厚薄不均對太陽能電池性能的影響

針對某供應(yīng)商的鋸痕、臺階和厚薄不均片等不良硅片進行了批量實驗。其中鋸痕片凹凸深度大于30um，臺階片深度為30-40um，厚薄不均片范圍為130-330um。

[page]鋸痕、臺階和厚薄不均片由于在硅片上存在局部區(qū)域的高低起伏和厚度差異，在電池制造的各道工序會因受力不均而引起碎片率的上升。在絲網(wǎng)印刷工序，尤其對于硅片局部區(qū)域高低突變的鋸痕和臺階片，很容易造成電極或背場的漏印，引起電極不良。

如圖3、4所示，鋸痕、臺階和厚薄不均片的碎片率、電極不良率和總報廢與不良率均明顯高于正常硅片，其中總報廢與不良率比正常硅片高了4%-10%。